G05NP06S2
- Référence fabricant #
- G05NP06S2
- Fabricant
- Goford Semiconductor
- Colis/Boîte
- -
- Fiche technique
- G05NP06S2
- Description
- NP60V, 5A/-3.1A,RD<36M/80M@10V/-
- Stock
- 3970
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- Fabricant :
- Goford Semiconductor
- Catégorie de produit :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5A (Tc), 3.1A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N and P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- -
- Power - Max :
- 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 40mOhm @ 3.9A, 5V, 95mOhm @ 200mA, 4.5V
- Supplier Device Package :
- 8-SOP
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
- Fiches techniques
- G05NP06S2
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Partie | Fabricant | Stock | Description |
---|---|---|---|
G05N06S2 | Goford Semiconductor | 3,980 | N60V, 5A,RD<35M@10V,VTH1V~2.5V, |