SI4908DY-T1-GE3
- メーカー部品番号
- SI4908DY-T1-GE3
- メーカー
- Vishay
- パッケージ/ケース
- -
- データシート
- SI4908DY-T1-GE3
- 説明
- MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
- 在庫
- 35000
見積依頼(RFQ)
- * 連絡先名:
- * 会社:
- * 電子メール:
- * 電話:
- * コメント:
- * キャプチャ:
-
- メーカー :
- Vishay
- 製品カテゴリ :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 40V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 12nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 355pF @ 20V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Power - Max :
- 2.75W
- Product Status :
- Obsolete
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 60mOhm @ 4.1A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-SOIC
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.2V @ 250µA
- データシート
- SI4908DY-T1-GE3
メーカー関連製品
カタログ関連商品
関連商品
パート | メーカー | 在庫 | 説明 |
---|---|---|---|
SI4900DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
SI4900DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
SI4904DY-T1-E3 | Vishay | 2,681 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC |
SI4904DY-T1-GE3 | Vishay | 41,263 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC |
SI4906DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC |
SI4906DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC |
SI4908DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC |
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
SI4910DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
SI4910DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
SI4913DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
SI4913DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
SI4914BDY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
SI4914BDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
SI4914DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC |