G1002L
- メーカー部品番号
- G1002L
- メーカー
- Goford Semiconductor
- パッケージ/ケース
- -
- データシート
- G1002L
- 説明
- N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
- 在庫
- 3000
見積依頼(RFQ)
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-
- メーカー :
- Goford Semiconductor
- 製品カテゴリ :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 2A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 100 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- -
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 10 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 413 pF @ 50 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Power Dissipation (Max) :
- 1.3W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 250mOhm @ 2A, 10V
- Supplier Device Package :
- SOT-23-3L
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2V @ 250µA
- データシート
- G1002L
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