CMG06(TE12L,Q,M)
- Производитель-деталь №
- CMG06(TE12L,Q,M)
- Производитель
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- CMG06(TE12L,Q,M)
- Описание
- DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- * Компания:
- * Электронная почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Проверка кода:
-
- lang_0872 :
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 1A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 10 µA @ 600 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -40°C ~ 150°C
- Package / Case :
- SOD-128
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Speed :
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- M-FLAT (2.4x3.8)
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 600 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.1 V @ 1 A
- lang_0258
- CMG06(TE12L,Q,M)
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| CMG02(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT |
| CMG03(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT |
| CMG03A,LQ(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | MOSFET N-CH |
| CMG05(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT |
| CMG06A,LQ(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | MOSFET N-CH |
| CMG07(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT |
