G33N03D3
- Производитель-деталь №
- G33N03D3
- Производитель
- Goford Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- G33N03D3
- Описание
- N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
- lang_0071
- 5000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- * Компания:
- * Электронная почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Проверка кода:
-
- lang_0872 :
- Goford Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 30A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 15nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1530pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerVDFN
- Power - Max :
- 18.5W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 13mOhm @ 18A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-DFN (3x3)
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 250µA
- lang_0258
- G33N03D3
