NVMSD6N303R2G
- Производитель-деталь №
- NVMSD6N303R2G
- Производитель
- onsemi
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- NVMSD6N303R2G
- Описание
- MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- * Компания:
- * Электронная почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Проверка кода:
-
- lang_0872 :
- onsemi
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 6A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- -
- FET Feature :
- Schottky Diode (Isolated)
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 30 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 950 pF @ 24 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Power Dissipation (Max) :
- -
- Product Status :
- Obsolete
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 32mOhm @ 6A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-SOIC
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- -
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 250µA
- lang_0258
- NVMSD6N303R2G
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
NVMS10P02R2G | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
NVMS4816NR2G | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC |
NVMS5P02R2G | onsemi | 5,180 | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5T | Mobiveil Technologies | 1 | NVME SSD EVALUATION BOARD, 8 NAN |