NXH100B120H3Q0PTG

Производитель-деталь №
NXH100B120H3Q0PTG
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
NXH100B120H3Q0PTG
Описание
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
lang_0071
24

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
* Компания:
* Электронная почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Проверка кода:
loading...
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
200 µA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
9.075 nF @ 20 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
186 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
22-PIM (55x32.5)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
NXH100B120H3Q0PTG

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
NXH100B120H3Q0PG onsemi 24 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
NXH100B120H3Q0SG onsemi 24 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
NXH100B120H3Q0STG onsemi 35,000 IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
NXH1010UK/S2,518 NXP Semiconductors 35,000 TRANSCEIVER MI-RADIO WITH FLASH
NXH1010UK/S3,518 NXP Semiconductors 35,000 TRANSCEIVER MI-RADIO WITH FLASH
NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi 35,000 PIM POWER MODULE
NXH160T120L2Q2F2SG onsemi 7 PIM 1200V, 160A SPLIT TNP